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ALD (Atomic Layer Deposition), ALE (Atomic Layer Etching), Ion Beam, Sputter (스퍼터링)은 반도체 제조 및 박막 증착에서 중요한 기술들입니다. 각각의 기술에 대해 자세히 설명드리겠습니다.    1. ALD (Atomic Layer Deposition)개요ALD는 원자층 수준의 정밀한 박막 증착 기술입니다. 이는 두 가지 이상의 전구체(Precursor) 가스를 이용하여 원자층을 한층씩 증착합니다.공정전구체 주입: 첫 번째 전구체 가스를 웨이퍼 표면에 주입하여 화학적으로 흡착(adsorption)됩니다.퍼지: 남은 전구체와 반응 부산물을 퍼지 가스로 제거합니다.두 번째 전구체 주입: 두 번째 전구체 가스를 주입하여 첫 번째 전구체와 반응시킵니다...

HBM (High Bandwidth Memory) TSV (Through-Silicon Via) 본딩과 세정 공정은 고성능 메모리 모듈의 제조에서 중요한 단계입니다. 이 공정들은 HBM의 성능과 신뢰성을 보장하기 위해 필수적입니다. 아래는 각각의 공정에 대한 설명입니다.     1. HBM TSV 본딩 공정HBM은 다층 메모리 스택 구조로, 각 층의 메모리 다이를 TSV를 통해 연결합니다. 본딩 공정은 이 메모리 다이들을 결합하는 과정입니다. 주요 단계는 다음과 같습니다:a. 다이 스태킹 (Die Stacking)TSV 형성: 실리콘 웨이퍼에 TSV를 식각하여 형성합니다. TSV는 상단과 하단의 메모리 다이 사이의 전기적 연결을 담당합니다.다이 어레이 배치: TSV가 형성된 다이를 일정한 배열로 배치합니..