신기술 신제품 인증 컨설팅

HBM (High Bandwidth Memory) TSV (Through-Silicon Via) 본딩과 세정 공정은 고성능 메모리 모듈의 제조에서 중요한 단계입니다. 이 공정들은 HBM의 성능과 신뢰성을 보장하기 위해 필수적입니다. 아래는 각각의 공정에 대한 설명입니다.     1. HBM TSV 본딩 공정HBM은 다층 메모리 스택 구조로, 각 층의 메모리 다이를 TSV를 통해 연결합니다. 본딩 공정은 이 메모리 다이들을 결합하는 과정입니다. 주요 단계는 다음과 같습니다:a. 다이 스태킹 (Die Stacking)TSV 형성: 실리콘 웨이퍼에 TSV를 식각하여 형성합니다. TSV는 상단과 하단의 메모리 다이 사이의 전기적 연결을 담당합니다.다이 어레이 배치: TSV가 형성된 다이를 일정한 배열로 배치합니..

GPU와 HBM의 관계 삼성전자: 8나노(nm) 및 5nm 공정을 사용하여 HBM2E, HBM3 등의 HBM을 생산하고 있으며, 엔비디아, AMD 등 주요 GPU 회사에 공급하고 있습니다. SK하이닉스: 10nm 및 8nm 공정을 사용하여 HBM2E, GDDR6X 등의 HBM을 생산하고 있으며, 엔비디아, AMD 등 주요 GPU 회사에 공급하고 있습니다. 주요 파운드리별 기술 및 생산 현황향후 전망 고속 HBM 개발: 5nm 이하 공정을 기반으로 더욱 빠른 속도의 HBM 개발이 진행될 것입니다. 용량 확대: GPU HBM의 수요 증가에 따라 파운드리 생산 용량이 확대될 것입니다. 다양한 파운드리 참여: TSMC 등 새로운 파운드리가 GPU HBM 시장에 참여할 가능성이 있습니다. GPU HBM 파운드리 ..